트랜지스터특성(特性)예비 보고서
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작성일 19-06-16 22:30
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II. 내 용
1) transistor(트랜지스터) 의 구조
transistor(트랜지스터) 는 두 개의 n형층과 한 개의 p형층, 또는 두 개의 p형층과 한 개의 n형 층으로 이루어진 3층 반도체 디바이스로서 전자를 n-p-n형, 후자를 p-n-p형 transistor(트랜지스터) 라 한다.
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트랜지스터특성(特性) 예비 보고서 내용 입니다. 그림 1의 transistor(트랜지스터) 구조에서 보는 것처럼 transistor(트랜지스터) 의 가운데 층인 베이스 B(base)는 transistor(트랜지스터) 전체 두께의 대략 150분의 1 정도로 매우 얇고(0.02nm 정도) 도우핑 정도도 양 외각층보다 10분의 1 또는 그 이하가 될 정도로 낮다.(그림 첨부)
순서
레포트/공학기술
experiment(실험)5[1].트랜지스터특성(特性)예비보고서
설명
I. 목 적
transistor(트랜지스터) 의 기본구조에 패한 이해와 역학 및 기본동작을 實驗(실험)을 통해 확인해 본다.
베이스층의 도전성 감소는 transistor(트랜지스터) 를 동작시키기 위해 그림 1에서와 같이 직류 바이어스(, )를 인가할 때 에미터로부터 베이스로 유입되는 다수캐리어의 수를 감소시키는 반면 콜렉터로의 유입량은 보다 크게 할 수 있다아 그림 2의 (a), (b)는 각각 그림 1의 n-p-n, p-n-p형 transistor(트랜지스터) 의 전기적 심볼을 나타내고 있으며 동 그림에서의 화살표 방향은 정공(전류…(투비컨티뉴드 )
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트랜지스터특성(特性)예비 보고서
다.
(a) N-P-N형 (b) P-N-P형
그림 1 transistor(트랜지스터) 의 구조와 직류 바이어스
(a) N-P-N형 (b) P-N-P형
그림 2 전기적 심볼
양 외각층에 대한 E, C 표시는 각각 Emitter, Collector를 의미하며 베이스 및 콜렉터쪽으로의 확산이 보다 잘 이루어지도록 도우핑 농도를 보다 크게 한 쪽이 에미터가 된다 즉, 다수캐리어를 보다 많이 가지고 있어서 다수 캐리어의 공급원(Source)이 되는 곳이 에미터, 이들 캐리어를 받아들이는 곳이 콜렉터가 된다
베이스 층의 두께가 양 외각층에 비해 매우 얇은 것은 에미터로부터의 다수캐리어가 베이스 층을 통과하여 콜렉터 층으로 보다 쉽게 유입되도록 하기 위함이며, 또 베이스층의 도우핑 농도가 양외각층에 비해 낮은 것은 베이스층의 다수캐리어의 수를 제한함으로써 베이스층의 도전성을 감소(저항은 증가)시키기 위한 것이다.
