sts-semi.co.kr 전자工學(공학) 실험 - 논리 게이트의 특성(特性) 및 연산회로 > stssemi3 | sts-semi.co.kr report

전자工學(공학) 실험 - 논리 게이트의 특성(特性) 및 연산회로 > stssemi3

본문 바로가기

뒤로가기 stssemi3

전자工學(공학) 실험 - 논리 게이트의 특성(特性) 및 연산회로

페이지 정보

작성일 23-01-30 20:12

본문




Download : 전자공학 실험 - 논리 게이트의 특성.hwp








전자工學(공학) 실험 - 논리 게이트의 특성(特性) 및 연산회로
VIL : 논리값 ‘0’으로 받아들여질 수 있는 VI의 최소값
순서
VIH : 논리값 ‘1’로 받아들여질 수 있는 VI의 최소값






논리게이트에서 이진수를 나타내는 데는 전압준위를 이용한다. 논리게이트(TTL74LS04)입출력의 전기적 특성을 실험을 통해 알아보고, 논리식을 조합논리회로로 구현하고 실험을 통해 진리표를 얻어본다.
인버터 논리 회로의 전형적인 전압전달 속성 은 <그림 2>와 같다. 논리식을 구현하는 기본적인 단위를 논리게이트라고 하는데 기본적인 논리게이트로는 AND, OR, NOT, NOR, NAND, XOR 게이트 등이 있다
전자공학 실험,논리 게이트의 특성,연산회로






Download : 전자공학 실험 - 논리 게이트의 특성.hwp( 99 )




VOH : 인 경우, 논리값 ‘1’의 출력전압

전자공학 실험 - 논리 게이트의 특성-3555_01.jpg 전자공학 실험 - 논리 게이트의 특성-3555_02_.jpg 전자공학 실험 - 논리 게이트의 특성-3555_03_.jpg 전자공학 실험 - 논리 게이트의 특성-3555_04_.jpg 전자공학 실험 - 논리 게이트의 특성-3555_05_.jpg

레포트 > 공학,기술계열
實驗(실험) 해설
실험 목적 - 논리게이트는 디지털 회로를 구성하는 기본단위이다. 즉, 하나의 전압준위를 이진법의 ‘0’에 대응시키고, 다른 하나의 전압 준위를 ‘1’에 대응시키는 것이다. 논리게이트(TTL74LS04)입출력의 전기적 특성(特性)을 실험을 통해 알아보고, 논리식을 조합논리회로로 구현하고 실험을 통해 진리표를 얻어본다. 여기에 사용된 VOH, VOL, VIH, VIL은 각각 다음을 나타낸다.
실험 목적
다. 이진법 연산에는 부울대수가 사용되고, 부울대수의 함수를 논리식이라고 하다. - 논리게이트는 디지털 회로를 구성하는 기본단위이다.


논리게이트의 외형은 보통 직사각형으로 양쪽에 핀이 달려있는 DIP(Dual-Inline Package)의 형태로 되어있다 핀번호는 핀들이 아래로 향하도록 하고 글씨가 쓰여있는 쪽을 위로 보았을 때 <그림 1>과 같은 형태를 이루고 있다
VOL : 인 경우, 논리값 ‘0’의 출력 전압

설명
디지털 시스템에서는 이진법을 사용하여 모든 연산을 수행한다. 높은 전압을 ‘1’로 하는 것을 정논리라고 하고, 낮은전압을 ‘1’로 하는 것을 부논리라고 한다.
전체 41,250건 1 페이지
해당자료의 저작권은 각 업로더에게 있습니다.

evga.co.kr 은 통신판매중개자이며 통신판매의 당사자가 아닙니다.
따라서 상품·거래정보 및 거래에 대하여 책임을 지지 않습니다.
Copyright © sts-semi.co.kr. All rights reserved.
PC 버전으로 보기