에미터 공통회로의 출력 特性(특성)곡선
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작성일 23-02-09 03:27
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2. 컬렉터 특성(VCE-IC)을 위한 실험회로
●test(실험) headline(제목)
2. S1을 닫고 M1이 10uA(IB)가 되도록 R1을 저정한다.
같은 방법으로 VCE=-4V이고 IB=0.3㎃이면 IC=26㎃이다.
설명
3.표 10.1.의 각 값에 따라 index로 VCC를 천천히 조정한다. M2는 컬랙터 전류, M3는 컬랙터 전압을 측정(measurement)한다.
전원공급기, 전류계2대, 저항(100Ω, 470Ω), transistor(2N6004), 2.5kΩ 가변저항기
에미터 공통회로의 출력 特性(특성)곡선
에미터 공통회로,출력 특성곡선
점 대 점(Point-by-Point)방법
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에미터 공통회로의 출력 特性(특성)곡선
●실험제목 에미터 공통회로의 출력 특성곡선 ●목적 ∘에미터 공통회로의 컬렉터 특성(VCE-IC)을 실험 한다. 전원을 인가하기 전에 회로를 점검한다. IB가 10uA가 듀지되도록 과정 (3)과 (4)동안에도 필 요하면 R1을 저정한다. M1과 M2는 미터를 보호하기 위해 가장 높은 범위에 둔다. ●실험재료 전원공급기, 전류계2대, 저항(100Ω, 470Ω), 트랜지스터(2N6004), 2.5kΩ 가변저항기
●목적
다.
1. 그림 10.3의 회로를 구성한다. 범위는 전원을 인가한 후 정해질 것이다. 또한 VCE=-4V에서 IB=0.2㎃이고 IC=18㎃이기 때문에 β는 80이다. 그러므로 트랜지스터가 0.2㎃의 베이스 전류의 선형적 변화는 컬랙터 전류의 선형적 변화를 얻을 수 있다
그림 10.3의 실험회로는 점 대 점 방법에 따라 에미터 공통 구성의 NPN 트랜지스터 특성곡선을 그리는데 사용된다 같은 회로를 전지와 전류계 극성을 반대로 연결하여 PNP형에 사용할 수 있다 이 회로에서 베이스 전류는 R1을 조절하여 특정값에 맞출 수 있다 그 과정은 다음과 같다. R1을 조정하여 IB를 일정한 레벨이 유지되도록 한다. VBB는 1.5V, VCC는 0V에 두고 SW1과 SW2는 개방하라. VCE가 0V 가 되 도록 R1을 조절한다. 일단의 곡선들을 얻기 위해 이 과정을 베이스 전류의 값들에 따라 반복한다.
●test(실험) 재료
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∘에미터 공통회로의 컬렉터 特性(특성)(VCE-IC)을 test(실험) 한다. 순서대로 컬랙터 전압을 미리 정한 값으로 선택해 놓고 컬랙터 전류를 측정(measurement)하여 기록하고 그 결과를 그린다. VCE의 각 값에 따라 IC를 측정(measurement)하여 표 10.1에 기 록한다. 값을 읽고 표 10.1에 기록한다.
