기초회로test(실험)
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작성일 22-10-23 17:06
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설명
레포트/공학기술
1. 학번: 9845157
이름: 유 상 은
조: 6 조
2. 題目(제목): 중첩의 원리
3. experiment(실험) 결과: 표 6.1 단일 Vpsi 의 影響
전류(mA)전압(V)I19.72V17.69I26.07V27.40I33.29V37.38
표 6.2 단일 Vpsi의 影響
전류(mA)전압(V)I14.26V13.30I25.8V26.78I31.4V33.28
표 6.3 Vpsi과 Vps2 가 동시에 동작할 때의 影響
측정(測定) 치계산치전류(mA)전압(V)Vps1Vps2Vps1+Vps2전류(mA)전압(V)전류(mA)전압(V)전류(mA)전압(V)I113.71V110.9I19.3957V17.7045I14.0531V13.3235I113.449V111.028I211.81V214.1I26.0796V27.7045I25.5637V26.6765I211.643V213.972I31.73V314.1I33.3161V37.2955I31.5107V33.3235I31.8053V33.9720
4. 고찰 :
중첩의 원리를 알아 보았는다. 이러한 복잡한 회로를 해석하는 방법으로 중첩의 원리(principle of superposition)가 적용된다 experiment(실험)에서 vps1만 인가하였을 때와 vps2만 인가 하였을 때와 둘 모두를 인가하였을 때는 vps1과 vps2를 더한 값과 둘 모두를 인가한 값과 같다는 것을 알게 되었다. 단순한 저항성 회로(저항들의 직렬 연결, 병렬 연결, 직/병렬 여결의 조합을 포함하는 회로)의 해석을 위해 옴의 법칙, 키르히호프의 법칙과 mesh 방법 등을 적용시켜 왔다. 그러나, 전기적으로 더욱 복잡한 회로들이 존재하고 있다 이러한 회로를 해석하는 것은 지금까지 배운 방법들을 사용하자면 어려움이 따른다.
기초회로experiment(실험)결과보고서
1. 학번: 9845157
이름: 유 상 은
조: 6 조
2. 題目(제목): 테브냉 노턴의 정리(整理)
3.…(생략(省略))
기초회로test(실험)
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기초회로실험에 대한 자료입니다. experiment(실험)을 하면서 측정(測定) 치의 부호에 신경 쓰지 않을 수 없었는데, 지금도 약간 헷갈리는 부분이다.
